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高速SOI光電探測器芯片

簡要描述:高速SOI光電探測器芯片,該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器,實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學(xué)混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關(guān)性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

  • 產(chǎn)品型號:ZG
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2024-12-27
  • 訪  問  量:1542

詳細(xì)介紹

品牌梓冠

SOI芯片光電探測器陣列


SOI芯片式光電探測器陣列,該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器,實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學(xué)混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關(guān)性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。


〖性能指標(biāo)Specifications〗


參數(shù)指標(biāo)

Parameters

單位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

備注

Notes

波長范圍

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

暗電流

Dark current

nA

35


50


3 dB模擬帶寬

3 dB bandwidth

GHz



28


光飽和功率

Optical saturation power

mW

10




響應(yīng)度

Responsibility

A/W

0.8


0.85


90度光學(xué)混頻器損耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7


90度光學(xué)混頻器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5




通道數(shù)

Number of channels


8或可定制

8 or Can be customized


光纖接入損耗

Insertion loss

dB

≤0.5


偏振相關(guān)損耗

PDL

dB

≤0.3


工作溫度范圍

Operating temperature range

°C

-20


50


工作濕度范圍

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)




高速SOI光電探測器芯片


高速SOI光電探測器芯片



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